热搜话题榜单

新工艺芯片先让矿工爽！三星打造3nm芯片组矿机

对此，三星Foundry总裁SiyoungChoi博士在一份报告中表示，三星基于3nm打造的采矿芯片组，比之前使用其他工艺生产的芯片组能够节能23%-45%...

三星定于今年6月前全力转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发

据 Business Korea 报道，三星近期设立了一个新的目标，希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工艺节点的第六代 1c DRAM 芯片的开发...因其需要先进的技术作为支撑，而当前三星在 1a DRAM（10 纳米级别的第 4 代内存产品）的量产上落后于两大竞争对手...在巨大的压力之下，报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标...

RX 590显卡GPU核心存两家代工厂：GF 12nm和三星11nm

11月15日晚间，AMD正式发布了新款显卡Radeon RX 590，指导价1999元。

小米POCO C40越南推出:采用11nm JLQ JR510芯片

这款芯片采用11nm工艺制成，由四颗2.0GHz的大核和四颗1.5GHz小核组成，GPU为Mali-G52，性能接近联发科Helio G35或高通骁龙450...小米POCO C40机身厚度接近9.2mm，重量为204g，还采用6.71英寸+1650×720分辨率的LCD全面屏...

11nm骁龙675跑分曝光：双杀骁龙835/710

11月7日早间消息，GSMarena在GeekBench 4.1数据库中发现了疑似骁龙675的跑分。

8核11nm升级新架构！骁龙675正式发布：AI性能暴增50%

距离骁龙670发布不到三个月，骁龙675正式登场。

比苹果高通快一步！曝三星率先商用2nm芯片：11月进入量产阶段

三星原计划为GalaxyS25系列搭载自主研发的3nm芯片Exynos2500，但由于三星代工部门的3nm良率未达标，GalaxyS25系列不得不全系采用高通骁龙8EliteSoC。三星押注下一代旗舰平台Exynos2600，这颗芯片首发采用三星2nm工艺制程。业界期待该芯片能实现三大突破：更强的CPU/GPU性能、更优的能耗表现、更小的发热量。

三星1.4nm工艺麻烦了！无法量产 面临流产

三星的FS1.41.4nm级工艺原定于2027年投入量产，但现在可能无法达成预期被迫取消。三星代工工艺近些年似乎没一个好消息：7nm和5nm因为产能无法充分利用关闭，FS33nm良率低下。台积电正在推动N22nm级工艺的量产，客户自然不成问题，Intel18A也将在今年投产，用于新一代消费级处理器PantherLake、数据中心处理器ClearwaterForest。

一雪前耻！三星誓要夺回安卓之光：Exynos 2600首发三星2nm工艺制程

因良率问题，三星放弃了Exynos2500，最新的GalaxyS25系列全部搭载高通骁龙8EliteforGalaxy芯片。为避免重蹈Exynos2500覆辙，三星为Exynos2600专门组建了项目团队，重点优化Exynos2600的性能和生产工艺，这颗芯片将首发三星2nmSF2制程，业内人士称其良率相比前代有了大幅提升。高通稳扎稳打，骁龙8系平台都在稳步升级，Exynos热度大不如前，如今2nm时代即将到来，三星Exynos2600有望一雪前耻，重塑荣光。

曝高通测试三星2nm工艺：台积电报价太高

台积电在新竹宝山工厂开始了2nm工艺的试产工作，随着2nm工艺的到来，其价格也随之上涨。台积电2nm晶圆的价格已经超过了3万美元，相比之下，目前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间。如果骁龙平台转向三星2nm工艺制程，那么其功耗问题将会是业内关注的热点。

高通发布骁龙6 Gen3处理器：三星4nm工艺 性能大增

高通最新发布了骁龙6Gen3入门级处理器，相较上一代性能有大幅提升。骁龙6Gen3代号为M6475-AB，采用4nm工艺打造，CPU为42.40GHzCortexA7841.80GHzCortexA55，GPU为Adreno710。即将发布的荣耀X60系列将首发这款处理器，前代曾销量破千万，是同级别天花板机型。

三星计划使用4nm工艺生产AI推理芯片Mach-1预计年底前完成交付

据韩媒ZDNetKorea援引的消息透露，三星电子正计划利用其4nm工艺进行AI推理芯片Mach-1的原型试产，采用MPW方式。尽管三星已具备3nm代工技术，但出于项目执行稳定性的考虑，公司决定在Mach-1上采用更为成熟的4nm或5nm工艺。外界消息显示，三星在4月份发布了8个与Mach-1芯片相关的招聘岗位，显示了公司对该项目的重视。

三星Galaxy F34发布：Exynos1280芯片 自家5nm工艺打造

三星发布了全新的GalaxyF34智能手机，搭载Exynos1280处理器，6GB128GB版本售价为18999印度卢比。GalaxyF34延续数字系列的设计，后盖采用竖排三摄方案，边角十分圆润，预计手感比较舒适。这款手机内置6000mAh电池，后置5000万像素主摄800万像素超广角200万像素镜头的三摄系统，运行Android13操作系统。

摩尔定律物理极限 台积电要研发1nm工艺：一台光刻机就要30亿

随着半导体工艺深入到5nm以下，制造难度与成本与日俱增，摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就要面临严重的量子隧穿难题，导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的，所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的，台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺，日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高，售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上，最终价格可能还要涨，30亿一台设备很考验厂商的成本控制。

紧追台积电 三星3nm工艺已量产三款芯片：功耗降低50%

在3nm节点，三星去年6月份就宣布量产，进度比台积电还快，不过后者拿到了苹果等大客户的订单，三星没有重量级客户，这方面有所不如。在日前的财报中，三星表示3nm工艺的良率已经稳定，代工厂正在顺利量产第三款3nm芯片，不过三星没有透露是为谁代工的。除了第一代3nm工艺之外，三星还提到第二代3nm工艺及2nm工艺的进展良好，很有信心的样子。

三星4nm工艺良品率改善：提升至75%、订单份额有望增加

三星已经将4nm制程工艺的良品率由60%左右提升到至少70%。目前有报道称三星进一步改善这一制程工艺良品率，已经达到75%。英伟达A100和H100的AI芯片代工目前完全外包给台积电代工，三星未能拿下任何订单，三星想要在先进制程工艺上追赶台积电还有很长的路要走。

1nm以下关键技术 英特尔研发2D芯片工艺

由于半导体工艺越来越复杂，摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效，10nm以下制造难度加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。在这个领域，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代，在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术，再往后又需要改变晶体管结构了，英特尔的目标是全新的2DTMD材料。这个过程可能需要很多年，英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律，也就是进一步提升晶体管密度，提升性能，降低成本功耗等。

售价直逼30亿 ASML下代EUV光刻机年底问世：1nm工艺必备

在半导体工艺进入7nm节点之后，EUV光刻机是少不了的关键设备，目前只有ASML能制造，单台售价10亿人民币，今年底还会迎来下一代EUV光刻机，价格也会大涨。光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系，目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的，下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨，毕竟还要好几年才能上市。

功耗降低34% 三星发布第二代3nm工艺：4年后直奔1.4nm

三星半导体业务高管前几天表态要用5年时间赶超台积电，实现这个目标就离不开先进工艺，去年6月份三星就宣布全球首发3nmGAA工艺，日前该公司又推出了第二代3nm工艺，预计在2024年量产。三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。再往后还有2nm节点的SF2、SF2P工艺，2027年甚至连1.4nm节点的SF1.4工艺也规划好了。

三星2nm工艺弯道超车台积电 专家表态：真不行

对于立志要在2030年成为全球半导体市场老大的三星来说，他们在内存及闪存上的竞争力没有问题，但在逻辑芯片制造上大幅落后于台积电，特别是先进工艺，为此三星希望在5年内超越台积电。该公司高管表示，在4nm节点，三星落后台积电2年时间，3nm节点大约落后1年，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。在晶圆代工市场上，台积电的份额高达58.5%，三星位列第二，但份额只有15.8%，三星想弯道超车台积电有很长一段路要走。