DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E:转向HBM3E和HBM4
4月24日消息,三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存,并停止HBM2E产品生产,转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增,HBM市场前景广阔,但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争,三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块,SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争,长鑫存储已量产16纳米DDR5,并计划2025年提升产能,2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场,未来或将涉足HBM领域。