三星开始量产首款3nm Exynos芯片:Galaxy S25有望首发
三星电子已开始量产其首款3nmGateAllAround工艺的片上系统,预计该芯片预计将用于GalaxyS25系列。这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。三星以前生产的芯片在持续使用情况下,常常会出现耗电量大和性能下降的问题,如今三星推出的GAA技术,有望解决这类问题。
三星谋划3D堆叠内存:10nm以下一路奔向2032年
3D晶体管正在各种类型芯片中铺开,3DDRAM内存也讨论了很多年,但一直没有落地。如今三星公开的路线图上,终于出现了3DDRAM。大约2030-2031年的时候,三星将升级到堆叠DRAM,将多组VCT堆在一起,从获得更大容量、更高性能,看起来还会引入电容器作为辅助。