再见三星8nm！NVIDIA下代显卡统一上台积电5nm

NVIDIA Ampere安培家族首次使用了两种制造工艺，面向数据中心、深度学习的A100是台积电7nm，面向游戏的RTX 30系列则是三星8nm。从目前情况看，三星8nm的表现确实一般，无论良品率还是性能都差

三星宣布新的17nm工艺 专为仍使用28nm工艺客户而设计

目前全球芯片领域已经在规划更先进的3nm工艺，但许多电子产品继续使用28nm工艺，这种制造工艺在10年之前就已经出现。最近，三星发布的17nm工艺节点正是瞄准了这个行业，希望可以替代28nm工艺，让一部分客户使用相对更先进的工艺。

三星宣布成功完成8nm射频解决方案开发

三星电子6月9日宣布，已推出基于8纳米工艺的最新射频 (RF) 技术。这种尖端的代工技术有望提供“单芯片解决方案”，专门用于支持多通道和多天线芯片设计的5G 通信。三星的8nm 射频平台扩展有望扩大该公司在5G 半导体市场的领先地位，从低于6GHz到毫米波应用。

[图]三星完成8nm射频技术开发：面积减少35%下功率增加35%

世界先进半导体技术的领导者三星电子有限公司今天宣布完成了基于 8 纳米生产工艺的射频（RF） 技术的开发。这项尖端的代工技术有望提供“一个芯片解决方案”，尤其是通过支持多通道和多天线芯片设计增强 5G 网络通信。这项 8 纳米射频平台的推出将会进一步巩固三星在 5G 半导体市场的领导地位。三星的 8 纳米射频工艺技术是对已广泛应用的射频相关解决方案组合（包括 28 纳米和 14 纳米的射频）的最新补充。自2017年以来，该公司通

RTX 30系显卡GPU全来自三星8nm：改良后性能二次提升10%

今晨，NVIDIA正式发布RTX 30系列显卡，首发三款分别是全新面孔的RTX 3090、旗舰之选RTX 3080和中流砥柱RTX 3070。即便是3899元的RTX 3070，号称平均性能也强过了RTX 2080 Ti，着实令人刮目相看

RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工艺、4倍光追性能提升

关于NVIDIA安培显卡，圈内有新消息传来。Moore’s Law is Dead指出，由于满足不了NVIDIA的预订产能，今年推出的RTX 30系列显卡，GPU核心均基于三星8nm打造，台积电7nm EUV需要等到明年上

GeForce安培显卡核心降级：NVIDIA改用三星8nm工艺

基于GA100安培核心，NVIDIA已经发布了A100加速计算卡等产品。不出意外的话，就在这一季度，面向消费级用户的GeForce游戏卡也将问世。不过，颇为靠谱的爆料人kopite7kimi透露，GeForce安培显卡

三星发布Exynos 980：旗下首款集成5G基带手机SoC、8nm A77架构

三星电子今日( 9 月 4 日)发布旗下首款集成5G基带的移动SoC芯片Exynos 980，也就是AP(应用处理器)和BP(基带处理器)封装在一颗芯片中。相较于当前5G手机普遍采用的外挂基带方案，更高的集成度不仅可以减少功耗和发热，还会降低对手机内部元器件空间的侵占。

三星研发7.3Gbps的LPDDR5内存 8nm工艺

去年7月，三星就宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片，基于10nm级工艺，单颗容量8Gb（1GB），去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上，三星人士透露，LPDDR5内存计划2020年商用。

三星正式发布新一代Exynos 9820处理器：基于8nm工艺

三星今天正式发布了新一代移动平台旗舰处理器Exynos 9820，和之前曝光的有所差别，这颗芯片采用的是三星8nm LPP FinFET工艺制程，而非7nm，相比10nm工艺功耗降低了10%。

三星Exynos 9820发布 8nm工艺性能暴增

在移动芯片领域，苹果、三星和华为是少数能自研高端芯片的手机厂商，而三星、华为和高通的高端芯片则经常在安卓阵营打得难舍难分。经过前几天的预热后，三星在今天终于发布了新一代旗舰芯片——三星

8nm工艺！三星发布新旗舰SoC Exynos 9820：GPU性能提升40%

11月14日上午，三星宣布推出新一代移动平台旗舰SoC，Exynos 9820，中文Slogan“非凡智慧、由内而生”。

三星投资10亿美元在美国建厂 明年计划生产8nm处理器

6月29日，国外媒体报道，韩国三星电子承诺在美国德克萨斯州投资10到16亿美元，建立一家半导体工厂。有传闻称，三星将在明年的旗舰智能手机Galaxy S9上配备8nm甚至7nm的处理器。

三星实力辟谣：10nm产能没问题 8nm和6nm也在路上

小编点评：不得不佩服，三星在这方面的实力确实强大。三星已在按部就班地安排下一代技术，其他代工厂商估计要输在起跑线上了。近日，有传闻称由于三星的10nm FinFET工艺技术产能遇到了问题，导致了大部分采用骁龙835的新旗舰都难产了。不过对此，三星可是有意无意地发布了公告表示自家的10nm FinFET工艺技术没有问题。从三星发出的最新新闻来看，其表示10nm FinFET工艺技术的生产增长正在稳步生产以满足客户的需求，看样子骁龙835

三星28nmFD-SOI开始投产：功耗降一半

前两天，快科技曾报道，华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美最高技术奖。作为半导体业界的翘楚，他在采访中谈到，在25nm看到尽头时美国政府曾向业界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我们很熟悉，后者的中文名称是“全耗尽绝缘硅”。

三星Exynos7880/7650详情曝光：28nmA72核心

因为主要给自家产品使用，极少数输出魅族等伙伴，三星的Exynos系列处理器一直比较低调，不过经历了Exynos 7420的大红大紫之后，再加上自主CPU/GPU架构的纷纷上阵，三星俨然成了芯片大拿。

功耗直接砍半！三星：3nm GAA工艺研发进度领先台积电

虽然目前来看，下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造，但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺，其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺。不过，消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，并且还成功流片，距离实现量产更近了一步。据韩媒Business Korea最新报道，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争者台积电之前，宣布GAA技术商业化。他?

供应链称三星3nm不太可能2023年前量产：台积电3nm锁定苹果/AMD/Intel

对于三星来说，他们在3nm工艺推进上，相比台积电是要慢了不少。据Digitimes最新消息称，采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术的三星3nm制程工艺，不太可能在2023年之前量产。消息中提到，如果三星电子的3nm工艺在2023年之前无法量产，为相关的客户代工芯片，三星电子在芯片代工领域就将继续处于不利地位。三星电子是目前仅次于台积电的全球第二大芯片代工商，他们近几年在芯片制程工艺方面基本能跟上台积电的步伐，但7nm和5nm工艺的量?

仍要晚于台积电？机构称三星3nm工艺不太可能在2023年前量产

据国外媒体报道，今年6月底外媒在报道中称，三星电子寄予厚望的3nm芯片制程工艺，已经顺利流片，距离量产又更近了一步。

领先三星一年！台积电开始安装3nm芯片制造设备

据国外媒体报道，台积电已经开始在中国台湾省南部的Fab 18工厂安装3nm制程芯片的制造设备，将在今年下半年试产3nm芯片。据了解，与之前的台积电5nm工艺相比，最新的3nm工艺能让芯片面积缩小30%，功耗降低最多25~30%，或者最多提升10~15%的性能。台积电与三星的代工工艺竞争已经持续多年，根据之前的报道三星3nm量产要到2023年，整整落后台积电1年时间。有分析称台积电提前量产3nm的计划，只为比三星更早投入生产，以便提前抢占市场