三星：EUV半导体生产线已开始大规模生产，将生产7纳米或更小的芯片

三星公司​在2月20日宣布，其新的EUV（远紫外线）半导体生产线已开始大规模生产，该生产线将为客户生产 7 纳米或更小的芯片。该新V1 生产线位于该公司在韩国华城的工厂，是第一条专门用于EUV光刻技术的生产线。三星表示，公司将使用 7 纳米及以下工艺节点生产芯片。该公司还将采用 7 纳米和 6 纳米工艺生产移动芯片，并计划最终生产小至 3 纳米的芯片。

传三星从比利时获得EUV光刻胶 半导体制造加速摆脱日本

日本对韩国发起的贸易制裁已经过去一个月了，分别是7月4日、8月7日推出了两波禁令，严控重要材料对韩国出口，其中第一波制裁中的光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢最为关键，对半导体、面板生产极为重要。

三星将投资180亿美元在德州奥斯汀设厂 生产5nm EUV工艺芯片

援引 ETimes 报道，三星电子计划在德克萨斯州奥斯汀建造一座新的尖端半导体工厂。韩国总统文在寅和美国总统拜登今天晚些时候在华盛顿特区举行首次首脑会谈，届时将正式宣布这一消息。据悉，该工厂将为第三方厂商代工生产5纳米 EUV 工艺的半导体芯片。据悉，该工厂的预估投资为180亿美元，靠近该公司在德克萨斯州的现有代工厂，该工厂目前负责生产14纳米工艺的芯片。三星的投资是为了应对亚马逊、Google、微软和特斯拉等美国大公司?

外媒：三星电子已决定在得克萨斯州奥斯汀建设EUV晶圆厂

【TechWeb】5月19日消息，据国外媒体报道，韩国媒体在本周早些时候的报道中称，三星电子在美国新建芯片工厂的计划，预计会在本月底宣布。而从韩国媒体最新的报道来看，三星电子考虑在美国新建的芯片工厂，已决定建在得克萨斯州的奥斯汀，建设的还将是采用极紫外光刻机（EUV）代工芯片的半导体工厂。同此前韩国媒体在报道中提到的一样，三星电子决定在得克萨斯州建设的这一座工厂，将在今年三季度动工，2024年投入运营。在新建工厂?

投资180亿美元 三星有意在美国建5nm EUV芯片厂：2024量产

在新一代半导体工艺中，美国本土的厂商已经落后于三星、台积电，Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。据韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。该工厂将采用5nm制程，计划于今年Q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。业内估计三星

为争取EUV光刻机供货：三星掌门人李在镕亲赴ASML荷兰总部游说

据韩媒报道，三星电子副董事长李在镕在本周三（10月14日）亲自飞赴ASML（阿斯麦）荷兰总部会晤。陪同李在镕的是三星芯片业务负责人Kim Ki-nam，ASML方面CEO Peter Wennink和CTO Martin Van de

三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片：6400MHz、首次采用EUV工艺

今日（8月30日），三星电子宣布，其位于韩国平泽市的第二代产线，已经开始大规模量产业内首批16Gb(2GB)容量的LPDD5内存芯片，并导入EUV极紫外光刻工艺。芯片基于三星第三代10nm级（1z）工艺打

EUV光刻机断货 台积电5nm工艺抢三星头彩：A14/麒麟1020首发

台积电上周发布了3月及Q1季度财报，营收同比大涨了42%，淡季不淡。不过接下来的日子半导体行业可能不太好过了，ASML的EUV光刻机已经断货，要延期交付，好在台积电今年已经在5nm工艺上抢先三星了。

三星5nm EUV生产线已开始投入建设，最快年底量产

3月12日据SAMMOBILE报道，三星在研发5nm制程工艺一年后，于今日正式开始开始建设5nm EUV生产线。三星希望在 2030 年之前击败主要竞争对手台积电，成为半导体行业的领军人物。三星已从半导体设备制造商那里订购了必要的设备，以便在位于韩国华城园区的V1 工厂建立一条5nm产线。通常完成所有设备的安装需 2 到 3 个月，预计三星将在今年6月底左右完成5nm产线建设。

重金打造！三星最先进EUV产线投用：7nm产能今年增加两倍

当前，有实力围绕10nm以下先进制程较量的厂商仅剩下Intel、台积电和三星三家。今天( 2 月 20 日)，三星宣布，在韩国华城工业园新开一条专司EUV(极紫外光刻)技术的晶圆代工产线V1，最次量产7nm。

三星回应7nm EUV良率事故传闻：与事实完全不符

日前，有报道称由于三星7nm工艺良率问题，高通交由其代工的中端5G处理器骁龙SDM7250全部报废，对此，今日三星方面正式作出回应，表示相关报道内容与事实完全不符。

三星正式发布首颗 7nm EUV 芯片 Exynos 9825，Galaxy Note 10 首发搭载

三星今天正式发布了 Exynos 9825。这款 SoC 采用了三星的 7 纳米 EUV 工艺，可将晶体管性能提高 20- 30%，同时耗电量减少 30- 50%。

三星发布首颗 7nm EUV 芯片 Exynos 9825

三星正式发布了 Exynos 9825。这款 SoC 采用了三星的 7 纳米 EUV 工艺，可将晶体管性能提高 20- 30%，同时耗电量减少 30- 50%。

继台积电之后，三星宣布 5nm EUV 工艺将于明年投产

在继台积电后，三星今天也宣布已经成功完成了 5nm EUV 开发，而相应的生产线正在建设，预计 2019 年下半年完成，明年可以开始投入使用。三星表示，5nm FinFET 工艺技术可以让芯片功耗降低 20%（相较于 7nm 工艺），性能提高了 10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。

三星7nm EUV拿下大订单：将代工IBM Power处理器

随着10nm以及更先进光刻工艺的难度加大、资本要求更加密集，有实力参与的晶圆厂商数量骤减。在UMC（联电）和GF（格芯）放弃后，基本只剩下台积电、三星和Intel三家有此实力。

三星宣布7nm LPP量产！基于EUV光刻技术、性能增加20%

10月18日早间消息，三星官方宣布，已经开始进行7nm LPP（Low Power Plus）工艺芯片的量产工作。

三星Galaxy S21产品线通过OneUI 4测试版在美国获得eSIM支持

周二，三星推出了Android12和一个UI4的测试版计划。除了三星Galaxy S21、S21+和S21Ultra的许多新功能和更新外，美国还支持eSIM。eSIM允许智能手机注册到网络，而无需SIM卡。您只需向运营商提供唯一的eSIM号码即可激活服务美国以外的Galaxy S21变体配备dualSIM托盘，而美国变体一次只能支持一个nanoSIM。Android12将为Galaxy S21系列启用eSIM支持，并可选择使用双SIM模式。截至本文撰写之时，测试版程序已在美国达到其容量。其他推?

三星宣布已大规模生产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度比上一代快3倍

据外媒报道，三星电子宣布该公司已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。

三星电子2021第三季度半导体销售额有望超越英特尔

三星电子有望在2021年第三季度的半导体销售额中击败英特尔，保持其第一的位置。SK海力士的销售额预计也将增长10%。

机构预计三星半导体业务Q3营收223亿美元 仍是第一大半导体厂商

【TechWeb】9月13日消息，据国外媒体报道，研究机构预计，时隔近3年在二季度再次成为全球第一大半导体厂商的三星电子，在三季度仍会有不错的表现，仍将会是半导体营收最高的厂商。从研究机构的报告来看，他们预计三星电子半导体业务在三季度的营收将达到223.2亿美元，较上一季度的202.97亿美元增加20.23亿美元，环比增长10%。而从研究机构的报告来看，不只是三星电子，主要存储芯片供应商三季度的营收，环比增长率均在10%及以上。S