纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
快科技12月26日消息,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构,显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度,并从原理上提升了器件良率。该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,从而大幅度增加了刻蚀窗口,降低了刻蚀过程的难度。这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM?