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三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，3DDRAM内存也讨论了很多年，但一直没有落地。如今三星公开的路线图上，终于出现了3DDRAM。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。

三星首次公布内存秘密：第四代10nm级工艺实为14nm

与CPU等逻辑芯片直接使用准确的工艺不同，内存芯片在20nm之后就变得模糊了，厂商称之为10nm级工艺，实际上会用1X、1Y、1Znm来替代。1X、1Y、1Znm到底是什么工艺？三星、SK海力士及美光三大内存巨头之前一直不肯明确，按照业界的分析，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。在1X、1Y、1Znm之后，还会有1nm、1nm、1nm三种工艺，三星今年下半年量产1nm工艺的内存。值得一提的是，在最新

三星全球首发英特尔Lakefield5核心处理器：10nm+22nm混搭

三星5月29日正式发布了新款Galaxy Book S笔记本，这也是第一款搭载Intel Lakefield 3D Foveros封装处理器的产品，但没有透露具体型号和规格，而是称之为“Intel Core processor with Intel Hybrid Technology”(Intel混合技术酷睿处理器)。

三星开始量产12GB LPDDR4X手机内存：10nm工艺

现在，三星已经宣布，正式量产用于智能手机平台的12GB LPDDR4X内存，从首发的机型看，应该是自家的5G版Galaxy S10。

三星发布Exynos 9810：10nm 2.9GHz、单核性能翻番

今天，三星正式发布Exynos9810 芯片，这是猎户座家族的最新成员，也是三星LSI旗下迄今为止最顶级的手机SoC。

三星量产第二代10nm SoC：骁龙845/Exynos 9810就绪

三星今天宣布，已经开始量产基于第二代10nm工艺制程的SoC。

国行三星S8拷机测试：10nm骁龙835功耗暴降

今天，三星工程师戈蓝V称，国行4+64G的S8和6+128G的S8+备货很足，不缺货。

三星实力辟谣：10nm产能没问题 8nm和6nm也在路上

小编点评：不得不佩服，三星在这方面的实力确实强大。三星已在按部就班地安排下一代技术，其他代工厂商估计要输在起跑线上了。近日，有传闻称由于三星的10nm FinFET工艺技术产能遇到了问题，导致了大部分采用骁龙835的新旗舰都难产了。不过对此，三星可是有意无意地发布了公告表示自家的10nm FinFET工艺技术没有问题。从三星发出的最新新闻来看，其表示10nm FinFET工艺技术的生产增长正在稳步生产以满足客户的需求，看样子骁龙835

小米6有戏了？三星怒砸8亿扩充10nm芯片产能

小编点评：失去苹果下一代10nm芯片的代工，只能拼命发力提升高通骁龙835处理器产能，这下小米6、乐视4等骁龙835处理器版有望了。此前，传闻由于高通骁龙835处理器产量不足，很多手机厂商旗舰新品无法准时拿到货，因此或许会错过上市开卖时间。其中传言受到影响的就有小米6、LG G6等，但是后者已经率先搭载骁龙821发售，现在看来这并不是谣言，产能不足的问题确实存在。但是这个问题估计很快得以改善，据韩国媒体ETnews报道，三星?

宇宙最强20核GPU！三星发布Exynos 8895：10nm

前不久三星预告的Exynos 9系处理器终于有了答案，就是Exynos 8895。此前曾有消息称这款SoC将命名Exynos 9810，看来只是个美丽的误会（Exynos 9系实在是很“唬人”……）。

三星/台积电10nm产能紧张：小米6遭殃

在2017年，10nm工艺制程将成为芯片中最主要的技术。联发科Helio X30和高通骁龙835处理器以及传闻中的麒麟970芯片都将使用10nm工艺，而这些芯片不出意外会在明年安卓旗舰中扮演重要角色。

10nm良率噩耗 三星S8、骁龙835抱头痛哭

上周，关于10nm工艺良率依旧不够理想的消息在媒体传开，据说影响到高通骁龙835、苹果A10X（新iPad）等一众新品。

10nm工艺良品率爆低：苹果/高通/台积电/三星受伤

对于苹果、高通、海思来说，10nm工艺良品率不高是一件很头疼的事。

台积电三星10nm良率不济：全行业恐慌

台积电、三星的10nm工艺量产已经进入倒计时阶段，苹果A11/A10X、华为麒麟970、高通骁龙835、联发科Helio X30等一众新旗舰芯片也都在翘首以盼。

骁龙835用上三星10nm工艺 S8明年将首发？

骁龙835作为820和821的后续产品，目前已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货，,,

高通宣布骁龙835处理器：采用三星10nm工艺，支持QC4.0快充

11月17日消息，高通刚刚公布了下一代骁龙处理器——骁龙835，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。 不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。援引消息，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯?

黑科技满满？三星公布10nm芯片新进展

三星智能手机业务一直走在行业前列，制造出曲面屏让自家产品风光一时无两，三星又开始转向研发性能更强，功耗更低的手机处理器。据悉，三星全新的10nm制程技术正在进行不断升级，或许可以称之为业内最具成本效益的尖端制程技术。

不缺钱！三星壕砸10亿美元投资芯片厂：首发量产10nm

据CNBC报道，三星计划在美国德克萨斯州的芯片工厂投资10亿美元，扩大三星自有品牌的芯片业务。

三星表示10nm芯片已进入量产 2017年有产品问世

网易科技讯10月18日消息，据国外媒体报道，三星周一表示，公司目前已开始量产基于10nm工艺的芯片。此为业内领先，进度先于竞争对手台积电和英特尔等。 包括三星和英特尔等在内的半导体制造商，长期以来一直都试图通过提升制程工艺，让每颗芯片所能包含的晶体管越来越多。在同等面积下，数量越多的晶体管往往也意味着更高的性能。目前市面上可买到的最先进芯片工艺为14nm FinFET，除英特尔的CPU外，包括英伟达和AMD最新一代GPU，以

霸气加速度：三星正式宣布量产10nm芯片

三星一直是手机芯片行业一匹黑马，虽然高通市场份额第一，但是三星旗下处理器有时却能逆流而上，和高通一较高下。三星电子今天宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。