紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存:带宽、能效遥遥领先
近日的VLSI2023技术与电路研讨会上,西安紫光国芯公开发表技术论文《基于小间距混合键合和mini-TSV的135GBps/Gbit0.66pJ/bit嵌入式多层阵列DRAM》,展示了西安紫光国芯在SeDRAM方向的最新突破。本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇,最终录取212篇,只有2篇来自中国内地企业,其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。2020年,西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术,之后实现了多款产品的大规模量产这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术,实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量,可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。