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三星美国芯片工厂推迟接收EUV光刻机：项目未找到大客户

快科技10月18日消息，据媒体报道，三星电子已决定推迟接收来自荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）的芯片制造设备。这批设备原本计划用于三星电子在得克萨斯州泰勒市斥资170亿美元新建的工厂。然而，目前三星电子尚未为该工厂赢得任何关键客户，这一现状无疑为项目的推进增添了不确定性。不仅如此，三星电子还推迟了向其他供应商下的订单。这一举动不仅迫使这些供应商开

佳能押注“纳米压印”芯片生产设备：比ASML EUV售价少一位数

近日佳能CEO御手洗富士夫在接受受访时表示，该公司基于NIL的新型芯片制造设备售价将比ASML的EUV少一位数。极紫外光刻机的唯一供应商就是ASML，EUV对于大规模生产速度快、能耗低的芯片至关重要，但每台机器的售价高达数亿美元，只有少数公司才有能力购买。”同时其还表示，最终的定价目前还没有敲定，但希望这是一个完全的惊喜。

Intel也玩弯道超车：EUV工艺生产量子芯片 最快10年商用

按照摩尔定律的发展，传统的硅基芯片预计还有10年左右就要到极限了，1nm以下的工艺制造起来极为困难，业界也在研发各种新型芯片，比如光子芯片、量子计算、碳纳米管之类的。在量子计算上，谷歌、IBM、微软等公司风头很劲，前不久IBM还宣布研发出了433个量子比特的量子芯片，是2021年127位量子比特的三倍水平。Inte的目标是实现100万个以上的量子比特计算，这个过程需要10年到15年时间，届时才能真正商业化量子计算他们认为量子计算会跟经典计算机并存，实现两者的混合计算。

阿斯麦柏林工厂火灾波及EUV光刻机一部件生产区域 尚未恢复

阿斯麦在官网上表示，上周一的火灾，发生在柏林工厂的一栋建筑中，火灾中的烟雾，部分影响到了相邻的建筑，受影响建筑的部分生产已能恢复，其他未受影响的建筑，已全面运营...火灾影响的损坏评估仍在进行中，但阿斯麦方面表示，从目前的情况来看，他们计量和检测产品的产出计划将不会受到影响，因为没有相关的部件在柏林工厂生产...虽然火灾未影响到计量和检测产品部件的生产，但阿斯麦位于柏林的工厂，生产DUV和EUV光刻机的部分部件，这两类光刻机部分部件的生产，在火灾中都受到了影响...柏林工厂受火灾影响仍未恢复的，是EUV光刻机一个零部件的生产区域，恢复计划仍在进行中，他们已决定采取相关的措施，将对EUV光刻机客户、产出计划及服务的潜在影响降到最低...

工厂突发火灾 ASML确认EUV光刻机生产受影响、DUV没事

全球半导体产能紧张持续一年了，芯片扩产需要包括光刻机在内的重要设备，结果前几天全球最大光刻机巨头ASML在德国的工厂遭遇火灾，官方表示还要几天才能评估损失，但是现在可以确定主要是EUV光刻机生产会受影响。ASML旗下的这家公司位于德国柏林，前身是Berliner Glas，ASML公司2020年才收购了这家公司，它们的营收额并不高，但生产的是光刻机中的一种重要部件，可以用于光刻机及晶圆之间的接口，需要有纳米级别的操作精度，可以说

三星将投资180亿美元在德州奥斯汀设厂 生产5nm EUV工艺芯片

援引 ETimes 报道，三星电子计划在德克萨斯州奥斯汀建造一座新的尖端半导体工厂。韩国总统文在寅和美国总统拜登今天晚些时候在华盛顿特区举行首次首脑会谈，届时将正式宣布这一消息。据悉，该工厂将为第三方厂商代工生产5纳米 EUV 工艺的半导体芯片。据悉，该工厂的预估投资为180亿美元，靠近该公司在德克萨斯州的现有代工厂，该工厂目前负责生产14纳米工艺的芯片。三星的投资是为了应对亚马逊、Google、微软和特斯拉等美国大公司?

投资180亿美元 三星有意在美国建5nm EUV芯片厂：2024量产

在新一代半导体工艺中，美国本土的厂商已经落后于三星、台积电，Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。据韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。该工厂将采用5nm制程，计划于今年Q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。业内估计三星

三星5nm EUV生产线已开始投入建设，最快年底量产

3月12日据SAMMOBILE报道，三星在研发5nm制程工艺一年后，于今日正式开始开始建设5nm EUV生产线。三星希望在 2030 年之前击败主要竞争对手台积电，成为半导体行业的领军人物。三星已从半导体设备制造商那里订购了必要的设备，以便在位于韩国华城园区的V1 工厂建立一条5nm产线。通常完成所有设备的安装需 2 到 3 个月，预计三星将在今年6月底左右完成5nm产线建设。

三星：EUV半导体生产线已开始大规模生产，将生产7纳米或更小的芯片

三星公司​在2月20日宣布，其新的EUV（远紫外线）半导体生产线已开始大规模生产，该生产线将为客户生产 7 纳米或更小的芯片。该新V1 生产线位于该公司在韩国华城的工厂，是第一条专门用于EUV光刻技术的生产线。三星表示，公司将使用 7 纳米及以下工艺节点生产芯片。该公司还将采用 7 纳米和 6 纳米工艺生产移动芯片，并计划最终生产小至 3 纳米的芯片。

曾狂言华为不可能追上！台积电年底将引进High NA EUV光刻机：25亿元/台

据国外媒体报道称，台积电将于今年年底从荷兰供应商ASML接收首批全球最先进的芯片制造机器，仅比美国竞争对手英特尔晚几个月。高数值孔径极紫外光刻机是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元。也是引起了行业专家的吐槽，有人甚至放话，如果没有先进光刻机，你们恐怕什么也不是。

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

在近日的财报电话会议上，IntelCEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的HighNAEUV。HighNAEUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。Intel计划在2027年前将HighNAEUV技术用于商业生产，并在2030年前实现代工业务的收支平衡。

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电正全力以赴，加速安装对2nm工艺量产至关重要的EUV光刻机。为了满足这一高端生产需求，台积电计划在今明两年接收超过60台EUV光刻机，预计投资总额将超过123亿美元。业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NAEUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。

中国台湾花莲县7.3级地震 台积电：EUV光刻机等设备无受损

4月3日7时58分，中国台湾花莲县海域发生7.3级地震，后续记录到上百起余震。4月3日晚，台积电对中国台湾发生的地震所造成影响做出最新评估。有网友表示：越先进的工艺，受影响越大”估计损失可能要好几亿美元了，机台上的晶圆都废了”。

3 亿美元能造1.8nm！Intel收到全球第一台高NA EUV极紫外光刻机

Intel官方宣布，位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NAEUV极紫外光刻机，型号为TwinscanEXE:5000”，它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机，将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺，也就是1.8nm级别。新光刻机的价格估计至少3亿美元，甚至可能达到或超过4亿美元，也就是逼近人民币30亿元现有低NAEUV光刻机需要2亿美元左右。

PC即将满血复活 Intel下半年发布酷睿Ultra处理器：EUV正式量产

Intel今天发布了Q2季度财报，129亿美元营收及15亿美元净利润都超出预期成功扭亏为盈，带动Intel股价大涨7%。可以说Intel业绩最坏的日子就要过去了，尤其是PC业务，此前由于需求下滑，CCG客户端部门面临着库存压力，现在情况不一样了。Intel表示，通过AIBoost单元，集成的神经网络视觉计算模块VPU将为AI工作负载提供专用的低功耗计算，Intel将通过人们期望和需要的混合工作、生产力、感知、安全和创作方面的关键体验，让AI应用走进生活。

EUV光刻前的最后疯狂：DDR5内存狂飙 单条1TB不是梦

随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒，使用的是比前者1工艺更先进的1工艺，这也是美光最后的非EUV工艺了，再往后不想上EUV也没招了。显存GDDR路线上，2025年会推出GDDR7，频率32Gbps，核心容量16-24Gb，带宽128GB/s以上。

售价直逼30亿 ASML下代EUV光刻机年底问世：1nm工艺必备

在半导体工艺进入7nm节点之后，EUV光刻机是少不了的关键设备，目前只有ASML能制造，单台售价10亿人民币，今年底还会迎来下一代EUV光刻机，价格也会大涨。光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系，目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的，下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨，毕竟还要好几年才能上市。

EUV也救不了命 内存快到头了：明年迎来全新3D DRAM

如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。不过3DDRAM内�

追赶台积电！三星推动开发高端EUV薄膜

光罩薄膜是极紫外光刻工艺中的关键部件，指的是在光罩上展开一层薄膜，然后机器在上面绘制要在晶圆上压印的电路，以免光罩受空气中微尘或挥发性气体的污染，减少光掩模的损坏。光罩薄膜的供应商主要是荷兰ASML、日本三井化学和韩国SSTech，韩国的EUV薄膜一直被外部厂商垄断。有业内人士表示，三星推动EUV薄膜的开发，是为了更快的追赶上台积电。

摩尔定律不死 Intel将冲击1nm工艺：用上下一代EUV光刻机

作为摩尔定律的提出者，Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者，多次表示半导体工艺还会继续提升下去，在现有4年掌握5代CPU工艺之后，Intel还启动了未来两代的CPU工艺研发，目标逼近1nm了。Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A，其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了，Intel4会在下半年的14代酷睿上首发会首次用上EUV光刻工艺。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨，当前售价在1.5亿美元左右，下代价格轻松超过4亿美元。