三星发布全新内存芯片HBM3E12H,AI性能再创新高
三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片,被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后,三星电子强调该内存芯片的未来发展前景,并计划于2024年上半年开始量产。
OpenAI CEO与三星、SK高管会面 探讨AI芯片相关合作
OpenAI的首席执行官SamAltman前往韩国,与三星电子和SK集团的高层会面,探讨建立一个AI半导体联盟和投资机会的可能性。Altman参观了三星半导体在韩国平泽的工厂,并与两家公司的高管进行了交流。通过ChatGPT,OpenAI还通过API针对终端用户和开发者市场,并迄今为止在市场上占据了主导地位。
三星Exynos 2500芯片曝光:全新Cortex-X5核心设计
三星Exynos2500芯片的一些信息目前已经曝光,它将会沿用上一代的10核CPU架构,同时引入全新的Cortex-X5核心。三星Exynos2500将会采用3nmGAA工艺进行量产,该技术尚未用于任何智能手机或平板电脑芯片,Exynos2400采用的是4LPP制程,因此Exynos2500采用更先进的工艺是合乎逻辑的。至于低功耗核心,新旧两代芯片都将使用相同的Cortex-A520,但具体频率尚未透露。
三星发布Galaxy Book 4系列笔记本:酷睿Ultra 自研安全芯片
三星今日发布了GalaxyBook4系列笔记本,将于明年1月上市开售。GalaxyBook4系列共有四款产品,分别为GalaxyBook4Pro、Book4Pro360和GalaxyBook4Ultra。GalaxyBook4系列笔记本还将首次搭载三星Knox安全芯片,号称可以提供更强大的安全性能。
三星发布 Galaxy Book 4 系列,配备英特尔全新人工智能芯片组
三星本月早些时候预告了GalaxyBook4系列,引起了对搭载Intel最新芯片组的AI驱动GalaxyBookPC的期待。GalaxyBook4系列正是这样的产品,将于本月推出。三星尚未公布每款型号的起始价格,预计2024年1月上市,首先在韩国推出,然后逐步推向其他地区。
三星即将推出的 Galaxy Book 4 系列规格泄露,可能搭载英特尔 AI 芯片以运行「Samsung Guass」专有 AI 模型
三星正准备在年底前揭晓其全新Windows笔记本电脑阵容。GalaxyBook4系列的规格和产品图片已经几乎完全曝光。在WindowsSoC中集成强大的NPU有潜力改变用户在便携式Windows机器上的工作方式。
三星将推出先进的 3D AI 芯片封装技术 SAINT 与台积电竞争
三星电子计划于明年推出一项先进的三维芯片封装技术,以与代工龙头台积电展开竞争。总部位于韩国水原市的这家芯片制造商将使用该技术——SAINT——来集成高性能芯片所需的存储器和处理器,包括AI芯片,并大幅减小其尺寸。三星的新SAINT技术旨在提高数据中心和移动APs中AI芯片的性能,这些APs具有设备内AI功能,消息人士表示。
人工智能热潮加剧芯片竞争,英特尔竞相追赶三星、台积电等竞争对手
美国芯片巨头英特尔公司首席执行官PatGelsinger于周二在IntelInnovationDay上发表讲话,表示该公司最先进的芯片设计18A将于2024年第一季度进入测试生产阶段。「对于18A,我们目前已经有许多测试晶圆出炉,」Gelsinger说。其他数十年老牌PC和服务器供应商的高管,包括广达电脑、维创和英业达也出席了活动。
三星将推出Galaxy Tab Active 5平板电脑:Exynos 1380芯片、电池可拆卸
三星将会在2024年推出TabActive5三防平板电脑,搭载Exynos1380芯片。三星GalaxyTabActive5已经现身GeekBench跑分库,6.2.0版本单核成绩为925分,多核成绩为2201分。三星GalaxyTabActive4Pro售价为800欧元,另内置手写笔,新款平板的售价预计会保持一致。
三星公布芯片计划:3年内量产2纳米 5年内超越台积电
当地时间19日,三星电子在德国慕尼黑举办了三星代工论坛2023”,并公布了其先进工艺路线图和代工战略。在此次论坛上,三星展示了从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺一系列汽车行业定制解决方案。台积电总裁魏哲家在昨天的法人说明会上披露,台积电有望在2025年量产2nm工艺芯片。
三星致力于开发密度更大的芯片和突破性材料以响应对人工智能需求的激增
三星电子披露了其推动存储芯片密度极限和开发突破性材料以提升芯片性能的雄心。三星电子的存储芯片业务总裁LeeJung-bae在周二发布在公司网站上的一封信中表示:「我们将把DRAM和NAND闪存存储芯片的密度提升到极限。」三星电子将于10月20日在硅谷举行「三星存储技术日2023」,届时这家韩国芯片制造商将揭示一些最新的存储芯片技术和产品。
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片:2030年实现1000层
今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。因此业内人士表示三星可能会在第10代430层产品中开始采用三重堆叠技术。
三星电子芯片部门持续亏损 带动总体利润暴跌80%!
作为全球最大的内存芯片、智能手机和电视制造商,三星电子将在本周三公布第三季度初步业绩。根据伦敦证交所19位分析师的预测,三星电子7-9月份的利润可能同比下降80%至2.1万亿韩元,与此对应的2022年第三季度其营业利润为10.8万亿韩元。根据五位分析师预测的平均值,三季度三星移动业务的利润或达到3万亿韩元,这主要归功于其在本季度推出的Fold5等可高端折叠手机。
三星第三季度利润预计下滑 80% 人工智能高带宽内存芯片强劲需求仍是亮点
三星电子预计,由于全球芯片供应过剩问题持续影响,第三季度利润将较去年同期下降80%。这意味着通常是韩国科技巨头的摇钱树业务将出现亏损。根据五位分析师的平均预测,三星的移动业务可能报告了约3万亿韩元的运营利润,因为该公司在该季度推出了其高端可折叠智能手机,尽管全球智能手机市场疲软,但销售额仍然不俗。
三星 Exynos 2400 芯片亮相:CPU 速度提升 70% AI 处理速度快了 14.7 倍
三星在日前的SystemLSITechDay2023活动中发布了多项新的半导体技术和芯片,其中最重要的是Exynos2400。这是三星的下一代旗舰智能手机处理器,继承了2022年推出的Exynos2200,首次亮相于GalaxyS22。三星将很快公布有关Exynos2400的更多细节。