三星谋划3D堆叠内存:10nm以下一路奔向2032年
3D晶体管正在各种类型芯片中铺开,3DDRAM内存也讨论了很多年,但一直没有落地。如今三星公开的路线图上,终于出现了3DDRAM。大约2030-2031年的时候,三星将升级到堆叠DRAM,将多组VCT堆在一起,从获得更大容量、更高性能,看起来还会引入电容器作为辅助。
台积电和SK海力士联手联合生产HBM4:对抗三星
HBM4内存带来的升级之一,就是采用了2048位接口,从实现更高的带宽,这也是HBM4内存最大的变化,不过唯一的问题就是成本较高,与消费者无缘,但也可以说是HPC、AI领域的专属。据韩国《每日经济新闻》报道,台积电和SK海力士已成立所谓的AI半导体联盟。HBM类产品前后经过了HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E的开发,其中HBM3E是HBM3的扩展版本HBM4将是第六代产品。
三星将推出先进的 3D AI 芯片封装技术 SAINT 与台积电竞争
三星电子计划于明年推出一项先进的三维芯片封装技术,以与代工龙头台积电展开竞争。总部位于韩国水原市的这家芯片制造商将使用该技术——SAINT——来集成高性能芯片所需的存储器和处理器,包括AI芯片,并大幅减小其尺寸。三星的新SAINT技术旨在提高数据中心和移动APs中AI芯片的性能,这些APs具有设备内AI功能,消息人士表示。
人工智能热潮加剧芯片竞争,英特尔竞相追赶三星、台积电等竞争对手
美国芯片巨头英特尔公司首席执行官PatGelsinger于周二在IntelInnovationDay上发表讲话,表示该公司最先进的芯片设计18A将于2024年第一季度进入测试生产阶段。「对于18A,我们目前已经有许多测试晶圆出炉,」Gelsinger说。其他数十年老牌PC和服务器供应商的高管,包括广达电脑、维创和英业达也出席了活动。