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芯片销量大幅下滑：周一台积电股价跌超7% 三星电子跌去3.9%

其中台积电（TSMC）应声下跌 7.1%，落到了 2021 年 1 季度以来的最低水平...美国此举将促使中国加速发展国内芯片产业，与此在商言商，日本企业应继续与中国公司展开不受限制的商品贸易...另一方面，日本企业也需要对长则十年、短则两年内的未来做好准备，紧张的时局正在推动中国努力加速...

台积电股价持续上涨刷新高，2021年以来已上涨了约27％

全球第一大半导体代工企业台积电的股价持续刷新历史新高，但一些分析师预测，台积电的股价可能还会比当前水平继续上涨50%。

台积电股价暴涨9.4%，成全球第十大市值股票

今日，半导体代工企业台积电股价在台北上涨9.4%，成为全球第十大股票。另外在美股市场，周一台积电涨超12%。

吃下英特尔6纳米芯片订单 台积电今日市值飙升2300亿元

芯片代工巨头台积电公司的股价今天在早盘交易中大涨近10%。稍早前，台湾《工商时报》报道称，台积电已拿下了英特尔公司的6纳米芯片订单。截至北京时间周一10:33分，台积电股价在早盘交易中上涨37元(新台币，下同)至423元，涨幅为9.59%，市值约为10.97万亿元(约合人民币2.6万亿元)，较上周五的市值增长9594亿元(约合人民币2300亿元)。台积电股价早盘上涨近10%台湾《工商时报》周一称，英特

台媒：台积电股价涨势如虹 将带领台股挑战历史新高

7月26日消息，据台湾媒体报道，台积电股价涨势如虹，将带领台股（台湾股市）挑战历史新高。台积电ADR如图所示，上周五，台积电（TSM）ADR（美国存托凭证）大涨9.69%至73.9美元。英特尔CEO Bob Swan此前表示，如果遇到紧急情况，会准备好外包部分芯片制造，使用别家企业的晶圆代工厂。台积电公司股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票代号为TSM。台媒称，由于

台积电股价连创新高 经营团队15人持股价值过亿

7月22日消息，据台湾媒体报道，台积电股价连创新高，经营团队身价也随着水涨船高。台积电据台媒，台积电昨天收盘报新台币383元，市值升至新台币9.93兆元，创历史新高。随着台积电股价与市值创新高，经营团队身价也水涨船高，董事长刘德音持股1万2913张，市值新台币49.45亿元（约合人民币11.7亿元）；总裁魏哲家持股7179张，市值新台币27.49亿元（约合人民币6.5亿元）。欧亚业务资深副总经理何丽梅、研究发展暨技术发展

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电正全力以赴，加速安装对2nm工艺量产至关重要的EUV光刻机。为了满足这一高端生产需求，台积电计划在今明两年接收超过60台EUV光刻机，预计投资总额将超过123亿美元。业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NAEUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。

台积电5月销售额飙升30% AI需求成主要驱动力

台积电在5月份的销售额实现了显著增长，达到了2296亿新台币，同比增长30%。这一增长主要得益于人工智能需求的激增以及部分消费电子产品的复苏。随着人工智能和其他新兴技术的进一步发展，台积电有望继续保持其在行业中的主导地位。

摩尔定律物理极限 台积电要研发1nm工艺：一台光刻机就要30亿

随着半导体工艺深入到5nm以下，制造难度与成本与日俱增，摩尔定律的物理极限大约在1nm左右，再往下就要面临严重的量子隧穿难题，导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的，所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的，台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺，日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高，售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上，最终价格可能还要涨，30亿一台设备很考验厂商的成本控制。

砸了3000亿把4nm带到美国 台积电被美国员工吐槽加班太多

在种种压力之下，台积电过去两年不得不在美国投资半导体制造，两期投资合计超过3000亿元，2024年会率先量产4nm工艺，成为美国工厂中最先进的芯片制造厂。不仅有巨额投资，台积电也会给美国当地增加几千个工作机会，目前还没完全投产，美国地区的员工就超过2000人了会持续招聘员工台积电给的薪酬待遇也是行业领先的，毕竟他们是晶圆代工中最赚钱的。台积电强调，过去两年每周平均工时都没有超过50小时，只有少数推动新制程或赶建新厂例外，因密集拉升学习曲线，工时会超过50小时，但有周工时60小时的警戒线。

采用N4P工艺！曝联发科天玑9300无缘台积电3nm

联发科天玑9300将采用台积电N4P工艺制程非最新的3nm工艺。N4P相较初始的5nm技术提升了11%的性能，并通过缩减掩模数量降低了工艺复杂度，同时支持5nm制程产品的轻松移转。天玑9300还有望支持移动光追技术，为手机游戏带来更为真实的“软阴影”和“镜面反射”效果，从更好地体现光线对阴影和物体的影响关系与细节变化，让游戏拥有更加真实的立体感和空间感。

高通终于确认：三星S23超频版骁龙8 Gen2仍是台积电4nm工艺

三星GalaxyS23系列正式发布，该系列全系搭载高通骁龙8Gen2移动平台，没有Exynos版本。S23系列搭载的骁龙8Gen2为独家定制版本，不仅有着更高的频率被命名为QualcommSnapdragon8Gen2MobilePlatformforGalaxy。这使得GalaxyS23系列Geekbench5单核成绩达到了1583分，相比之下，标准版第二代骁龙8的单核成绩在1480分左右，联发科天玑9200的单核成绩在1400-1500分之间。

台积电3nm耗降低30%！价格极其昂贵

中关村在线消息：12月30日，台积电联席CEO刘德音提到，相比于5nm工艺，3nm工艺的逻辑密度将增加60%，相同速度下功耗降低30-35%。但是3nm良率拉升难度飙升，台积电为此已不断修正3nm蓝图，且划分出N3、N3E等多个3nm家族版本。与目前的5纳米芯片相比，3纳米芯片将提供更好的性能，苹果可能会在2023年开始采用3纳米处理器，3nm代工价格突破2万美元/片晶圆，也就是14万元左右才能加工一片12英寸晶圆，首批投片量只有数千片，目前只有苹果有需求，台积电在亚利桑那州的第一家美国工厂将于2024年开业时开始生产4纳米芯片。

Redmi K60即将登场：2023年旗舰焊门员 CPU全系台积电版本

博主数码闲聊站爆料，Redmi K60系列即将登场，全系都使用了台积电4nm芯片。Redmi K60系列有三款机型，分别命名为K60E、K60和K60 Pro，处理器分别是天玑8200、骁龙8+和第二代骁龙8。作为Redmi旗舰产品线，K40系列、K50系列连续两代都树立了旗舰焊门员”的品牌形象，不出意外，Redmi K60系列将是2023年的旗舰焊门员”，值得期待。

台积电总裁鼓励员工休假 导致股价跌幅超4% 芯片景气不在？

中关村在线消息：10月24日，一封影片形式的台积电内部信开始在网络上流传，台积电总裁魏哲家在影片中感谢了员工过去3年的辛劳，并鼓励员工多与家人相处，休假充电后再继续努力...苹果未来用于Mac的M3芯片，以及iPhone15Pro系列搭载的A17仿生芯片都将基于台积电的增强型3nm工艺（N3E）生产，相比标准的3nm工艺在性能和功率上都有不小的进步...

功耗直降30% 台积电2nm工艺曝光

台积电公布了2022年Q3季度业绩，同时也透露了最新的工艺进展，其表示3nm工艺的需求已经超过了预期，明年会满载量产，而2nm工艺也进度喜人，2025年量产...台积电还公布了2nm工艺的一些技术细节，台积电首次在2nm工艺上放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管其表示相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%...

7nm没人用了 台积电砍了一刀 ASML股价暴跌9%

去年台积电宣布了史上最大规模的产能提升计划，三年内投资至少1000亿美元扩建成熟及先进产能，其中今年的资本开支就高达400亿美元，随着这次的削减，开支将减少到360亿美元，减少的40亿美元中有20亿美元是用于购买设备的，20亿用于产能优化...如今台积电砍了一刀，自己的股价倒是没啥影响，直接把全球最大的光刻机公司ASML带崩了，今天股价暴跌了9%，收盘每股376.5欧元......

功耗直降30% 台积电2nm工艺好于预期：2025年量产

台积电在6月份正式公布了2nm工艺，并透露了一些技术细节，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%...台积电的2nm工艺应该还是会由苹果首发，今年的A16是4nm，明年的A17及后年的A18应该都是3nm，2025年的A19芯片才有可能用上2nm工艺......

30年来第三次易主 台积电将取代三星、Intel成为半导体一哥

从1992年起，Intel成为全球半导体市场的一哥，营业额领先其他厂商，这是x86芯片的光荣时代，Intel在第一位置上稳坐了20多年，直到2017年，三星受益于当时的内存、闪存大涨价，首次超越Intel成为新的半导体一哥，并且连任了三届第一，这是存储芯片的高光时刻...这次坐上第一宝座的将是台积电，预计Q3季度营收可达27万亿韩元，今年代工业务依然大涨，台积电在这两年中凭借无人能敌的先进工艺及成熟工艺的产能爆发式增长，业绩已经冲到了世界第一等......

台积电4N 5nm威武！4080 12GB晶体管竟远超3090Ti 却小了一半

－RTX408016GBAD103：378.6平方毫米、459亿晶体管、1.211亿/平方毫米...－RTX408012GBAD104：294.5平方毫米、358亿晶体管、1.211亿/平方毫米...三个核心在单位平方毫米上集成的晶体管都超过了1.2亿个，AD103、AD104还完全一样，远远超过了台积电8nm工艺RTX3090/TiGA102核心的4510万个...更惊人的是，AD104作为一个小核心，晶体管数量比GA102大核心还要多足足75亿个，但面积还不到后者的一半，缩小了多达53％！......