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曾狂言华为不可能追上！台积电年底将引进High NA EUV光刻机：25亿元/台

据国外媒体报道称，台积电将于今年年底从荷兰供应商ASML接收首批全球最先进的芯片制造机器，仅比美国竞争对手英特尔晚几个月。高数值孔径极紫外光刻机是世界上最昂贵的芯片制造设备，每台的价格约为3.5亿美元。也是引起了行业专家的吐槽，有人甚至放话，如果没有先进光刻机，你们恐怕什么也不是。

三星美国芯片工厂推迟接收EUV光刻机：项目未找到大客户

快科技10月18日消息，据媒体报道，三星电子已决定推迟接收来自荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）的芯片制造设备。这批设备原本计划用于三星电子在得克萨斯州泰勒市斥资170亿美元新建的工厂。然而，目前三星电子尚未为该工厂赢得任何关键客户，这一现状无疑为项目的推进增添了不确定性。不仅如此，三星电子还推迟了向其他供应商下的订单。这一举动不仅迫使这些供应商开

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

在近日的财报电话会议上，IntelCEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的HighNAEUV。HighNAEUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。Intel计划在2027年前将HighNAEUV技术用于商业生产，并在2030年前实现代工业务的收支平衡。

台积电两年将接收至少60台EUV光刻机：投入超过123亿美元

台积电正全力以赴，加速安装对2nm工艺量产至关重要的EUV光刻机。为了满足这一高端生产需求，台积电计划在今明两年接收超过60台EUV光刻机，预计投资总额将超过123亿美元。业界普遍期待台积电能在今年内接收到最新的High-NAEUV光刻机，这将为其在高端芯片制造领域的竞争力再添助力。

中国台湾花莲县7.3级地震 台积电：EUV光刻机等设备无受损

4月3日7时58分，中国台湾花莲县海域发生7.3级地震，后续记录到上百起余震。4月3日晚，台积电对中国台湾发生的地震所造成影响做出最新评估。有网友表示：越先进的工艺，受影响越大”估计损失可能要好几亿美元了，机台上的晶圆都废了”。

3 亿美元能造1.8nm！Intel收到全球第一台高NA EUV极紫外光刻机

Intel官方宣布，位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NAEUV极紫外光刻机，型号为TwinscanEXE:5000”，它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机，将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺，也就是1.8nm级别。新光刻机的价格估计至少3亿美元，甚至可能达到或超过4亿美元，也就是逼近人民币30亿元现有低NAEUV光刻机需要2亿美元左右。

佳能押注“纳米压印”芯片生产设备：比ASML EUV售价少一位数

近日佳能CEO御手洗富士夫在接受受访时表示，该公司基于NIL的新型芯片制造设备售价将比ASML的EUV少一位数。极紫外光刻机的唯一供应商就是ASML，EUV对于大规模生产速度快、能耗低的芯片至关重要，但每台机器的售价高达数亿美元，只有少数公司才有能力购买。”同时其还表示，最终的定价目前还没有敲定，但希望这是一个完全的惊喜。

PC即将满血复活 Intel下半年发布酷睿Ultra处理器：EUV正式量产

Intel今天发布了Q2季度财报，129亿美元营收及15亿美元净利润都超出预期成功扭亏为盈，带动Intel股价大涨7%。可以说Intel业绩最坏的日子就要过去了，尤其是PC业务，此前由于需求下滑，CCG客户端部门面临着库存压力，现在情况不一样了。Intel表示，通过AIBoost单元，集成的神经网络视觉计算模块VPU将为AI工作负载提供专用的低功耗计算，Intel将通过人们期望和需要的混合工作、生产力、感知、安全和创作方面的关键体验，让AI应用走进生活。

EUV光刻前的最后疯狂：DDR5内存狂飙 单条1TB不是梦

随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒，使用的是比前者1工艺更先进的1工艺，这也是美光最后的非EUV工艺了，再往后不想上EUV也没招了。显存GDDR路线上，2025年会推出GDDR7，频率32Gbps，核心容量16-24Gb，带宽128GB/s以上。

售价直逼30亿 ASML下代EUV光刻机年底问世：1nm工艺必备

在半导体工艺进入7nm节点之后，EUV光刻机是少不了的关键设备，目前只有ASML能制造，单台售价10亿人民币，今年底还会迎来下一代EUV光刻机，价格也会大涨。光刻机的分辨率越高，越有利于制造更小的晶体管分辨率也跟光刻机物镜的NA数值孔径有直接关系，目前的EUV光刻机是NA=0.33技术的，下代EUV光刻机则是提升到NA=0.55。这还不排除未来正式商用的时候价格进一步上涨，毕竟还要好几年才能上市。

EUV也救不了命 内存快到头了：明年迎来全新3D DRAM

如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。不过3DDRAM内�

追赶台积电！三星推动开发高端EUV薄膜

光罩薄膜是极紫外光刻工艺中的关键部件，指的是在光罩上展开一层薄膜，然后机器在上面绘制要在晶圆上压印的电路，以免光罩受空气中微尘或挥发性气体的污染，减少光掩模的损坏。光罩薄膜的供应商主要是荷兰ASML、日本三井化学和韩国SSTech，韩国的EUV薄膜一直被外部厂商垄断。有业内人士表示，三星推动EUV薄膜的开发，是为了更快的追赶上台积电。

摩尔定律不死 Intel将冲击1nm工艺：用上下一代EUV光刻机

作为摩尔定律的提出者，Intel也是最坚定的摩尔定律捍卫者，多次表示半导体工艺还会继续提升下去，在现有4年掌握5代CPU工艺之后，Intel还启动了未来两代的CPU工艺研发，目标逼近1nm了。Intel的5代CPU工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A，其中Intel7在2021年的12代酷睿上首发了，Intel4会在下半年的14代酷睿上首发会首次用上EUV光刻工艺。不过下代EUV光刻机的成本也会大涨，当前售价在1.5亿美元左右，下代价格轻松超过4亿美元。

Intel 4/3/20A/18A四种新工艺都来了！EUV光刻机里程碑

Intel在先进制造工艺上投入颇深，按照官方说法进展也颇为顺利。Intel7已经大量用于消费级的12/13代酷睿、企业级的4代可扩展至强。Intel20A、Intel18A均已经完成了测试芯片的流片，它们将引入RibbonFET环绕栅极晶体管、PowerVia后端供电两大关键新技术。

台积电3nm来战 Intel 4工艺来了：首台EUV光刻机已开机

Intel目前的12代、13代酷睿使用的还是Intel7工艺，明年的14代酷睿MeteorLake将首发Intel4工艺，这也是Intel首次使用EUV光刻的工艺，SRAM晶体管规模几乎接近台积电3nm工艺。日前Intel宣布了一个重要里程碑，首台EUV光刻机已经开机并产生13.5nm波长的光。坏消息是14代酷睿可能只有移动版，桌面版处理器在2023年会是RaptorLake-SRefresh，也就是13代酷睿马甲。

台积电的“金字招牌”5nm/7nm不灵了！EUV光刻被迫停机

下半年以来的半导体行业调整，似乎并没有给台积电造成比较大的影响，其1~11月的累计收入同比增加了44.6%。DT分析师预计，因为明年上半年需求订单萎缩，一季度台积电的收入将遭遇10~15%的环比下滑。台积电三季度财报显示，5nm连同7nm是公司前两大销售业务来源，合计贡献了超过50%的营收。

华为公布有关EUV光刻技术的新专利

在集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外光刻成为首选的光刻技术。该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法，涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进达到匀光的目的，进解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样无法匀光的问题。

“4nm、3nm”EUV工艺来了 Intel最先进晶圆厂准备就绪

随着13代酷睿的上市，Intel的处理器工艺已经切换到了Intel7节点上，这是Intel4年掌握5代CPU工艺中的起点，接下来的还有重头戏，不过生产基地会转向海外，由位于欧洲爱尔兰的Fab34晶圆厂接任。IntelCEO基辛格日前在网上透露他上周去了Fab34工厂访问，扩建后的工厂面积翻了一倍，具备更高的产能这里的团队会交付Intel最新的工艺，也就是Intel4、Intel3工艺，等效友商的4nm、3nm节点。15代酷睿ArrowLake的CPU模块预计也会使用Intel3工艺生产，不过这一代变数也很大，很多不确定消息。

Intel也玩弯道超车：EUV工艺生产量子芯片 最快10年商用

按照摩尔定律的发展，传统的硅基芯片预计还有10年左右就要到极限了，1nm以下的工艺制造起来极为困难，业界也在研发各种新型芯片，比如光子芯片、量子计算、碳纳米管之类的。在量子计算上，谷歌、IBM、微软等公司风头很劲，前不久IBM还宣布研发出了433个量子比特的量子芯片，是2021年127位量子比特的三倍水平。Inte的目标是实现100万个以上的量子比特计算，这个过程需要10年到15年时间，届时才能真正商业化量子计算他们认为量子计算会跟经典计算机并存，实现两者的混合计算。

Intel首代EUV工艺来了！14代酷睿年底流片：5芯合1

在EUV光刻工艺上，Intel此前承认他们过去翻错了，让台积电、三星抢先了，毕竟Intel是最早研发EUV工艺的半导体公司之一，现在Intel可以追上来了，今年底就首次使用EUV的Intel 4工艺就会规模量产...Intel 4就是之前的Intel 7nm工艺，也是Intel首次使用EUV光刻机，高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2，是目前Intel 7的2倍，高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2，接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2......