热搜话题榜单

英伟达加速认证三星HBM内存芯片：掀起GPU技术革命浪潮

快科技11月24日综合报道，英伟达CEO黄仁勋近日在接受媒体采访时透露，公司正在加速对三星电子的人工智能内存芯片HBM进行认证。这一消息引发了业界广泛关注。在这场互利共赢的合作中，三星将有望赢得更为广阔的市场机遇与业务增长新空间。

80GB都不够了！NVIDIA H100计算卡要上120GB HBM2e显存

根据最新曝料，NVIDIA正在准备120GBHBM2e显存版的H100计算卡，PCIe形态，显存带宽还是高达3TB/s...GH100核心采用台积电4nm工艺制造，集成800亿个晶体管，核心面积814平方毫米，内部集成了多达18432个CUDA核心、576个Tensor核心、60MB二级缓存，分为144个SM单元，另有12个512-bit显存控制器，总位宽6144-bit......

传英伟达正在开发120GB HBM2e显存的Hopper H100 PCIe加速卡

近日有消息称，英伟达正在开发一款 Hopper H100 PCIe 加速卡，特点是具有高达 120GB 的 HBM2e 显存...每组 SM 单元最多由 128 个 FP32 单元，那样满血版应该是 18432 个 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心，每颗 GPU 拥有 18432 个 FP32 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心，每颗 GPU 拥有 16896 个 FP32 CUDA 核心......

AMD发布6nm MI210计算卡：64GB HBM2e显存、300W功耗

MI200回归单芯封装，规格、性能几乎完全就是MI250砍去一半：291亿个晶体管，104组计算单元，6656个流处理器核心，416个矩阵核心，4096-bit 64GB HBM2e显存，三条Infinity Link互连总线......

AMD Instinct MI210细节公布：具有104个计算单元和64GB HBM2e显存

AMD即将发布更多的Instinct MI200系列计算加速卡，基于其全新的Aldebaran CDNA 2GPU架构，主要用于HPC领域。最新公布的消息是Instinct MI210，它将采用单一的Aldebaran CDNA 2GPU计算芯片，拥有6656个内核和64GB HBM2E内存。通过Instinct MI250X和MI250，AMD将MCM技术带到了数据中心和HPC领域。基于其新的CDNA 2架构，新的Aldebaran GPU能够进一步缓解HPC和数据中心的工作负载，但还有更多的MI200系列显卡即将面世，MI210就是其中?

AMD专业挖矿卡曝光：豪华HBM2显存、算力超RTX 3070

前不久刚刚表态对挖矿业务没有什么兴趣的AMD，私底下已经在暗度陈仓”了？爆料好手贴出的图片显示，基于7nm Navi 12核心打造的AMD BC-160矿卡现身，讯景设计，外形比较简约素雅。此前Navi 12核心被用于笔记本平台的Radeon Pro 5600M显卡，其集成2560颗流处理器。而BC-160则配备2304个流处理器，辅以8GB HBM2显存，走PCIe 4.0 x16插槽。算力方面，150瓦功耗下以太坊算力69.5MH/s，直接把RX 6900 XT也超了，主流显卡中仅次于RTX 3080

台积电公布先进CoWoS封装技术路线图 2023年结合小芯片与HBM3

在 HotChips33 年度会议期间，台积电介绍了该公司最先进的封装技术路线图，并且展示了为下一代小芯片架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。WCCFTech 指出，这家业内领先的半导体巨头在先进芯片封装技术方面取得了快速进展。过去十年，该公司已经推出五代不同的基板上芯片封装工艺，且涵盖了消费级与服务器芯片领域。预计 TSMC 将于今年晚些时候宣布第 5 代 CoWoS 封装技术，其有望将晶体管数量翻至第 3 代封装解决方?

80GB HBM2e显存：NVIDIA A100 PCIe加速卡下周升级

消息称，NVIDIA将在下周发布新款PCIe版本的A100加速计算卡，显存容量从40GB翻番到80GB，类型也从HBM2升级为HBM2e。NVIDIA A100加速卡诞生于去年3月，采用全新Ampere安培架构的超大核心GA100，7nm工艺，542亿晶体管，826平方毫米面积，6912个核心，搭载5120-bit 40GB HBM2显存，带宽1.6TB/s，外形规格分为专用的SMX4、通用的PCIe两种样式，前者支持更多GPU互连。去年11月，A100 SMX4版本升级为80GB HBM2e显存，加上频率提升到3.2GHz

SK海力士公布HBM3技术规格：带宽665Gbps 容量翻倍 改进散热

SK 海力士刚刚公布了下一代高带宽内存（HBM3）的技术规格，可知其在提升传输速率和增大容量的同时，还引入了散热方面的最新改进。具体说来是，该公司的 HBM3 产品将提供高达 665 Gbps 的带宽、翻倍的容量、以及下一代散热解决方案。在官方产品页上，SK 海力士还分享了一张对比图表，以直观地展示从 HBM2E 到 HBM3 的变化。这家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望实现 5.2 Gbps 的 I/O 速率，较现有的 HBM2E 提升 44%，从而大幅提升整体的

Intel Xe HP顶级加速卡首次曝光：7680核心、32GB HBM2E显存

我们知道，Intel重返独立显卡市场的Xe GPU架构分为四种不同级别，从低到高分别是Xe LP、Xe HPG、Xe HP、Xe HPC，覆盖从轻薄本到高性能计算等各种领域。如果说相当于核显级别的Xe LP只是牛刀小试，Xe HPG就是游戏玩家的期待，Xe HP、Xe HPC则是高端计算的利器。现在，我们第一次看到了Xe HP架构的加速卡，规格很残暴，而且还有更残暴的。Xe HP加速卡代号Arctic Sound，采用一种名为Tile”的模块化堆积设计方式(类似chiplets小芯片)?

三星发布新一代2.5D封装技术I-Cube4：集成四颗HBM

三星电子宣布，新一代2.5D封装技术I-Cube4”(Interposer Cube 4)已经正式投入商用，可用于HPC、AI、5G、云、数据中心等各种领域。这是一种异构整合技术，可以在一个硅底中介层上，放置一颗或多颗逻辑芯片(CPU/GPU等)，以及四颗HBM高带宽内存芯片，然后封装在一起，作为一颗芯片使用。没错，和当年AMD Fiji系列显卡颇为相似，但显然不是简单复刻。AMD Fiji GPU和HBM在以往的类似封装技术中，随着芯片复杂度的增加，硅底中介层也会越

三星首发HBMPIM存内计算技术2倍性能功耗降低70

电子计算机多年来都是走诺伊曼架构体系今天三星宣布了一项新的突破面向AI人工智能市场首次推出了HBMPIM技术走的是非诺伊曼架构HBM内存技术并不新鲜了最新的标准是HBM2三星早在20

美光宣布下一代显存HBMnext：2022年见

HBM显存发展过程中，美光不是最快的，也不是性能最好的，但这次打了个头阵，率先宣布了下一代技术规划，暂定名HBMNext。经过两代的演进，HBM目前正在进入HBM2e阶段，其中SK海力士已经在7月初宣

AMD发布苹果定制版Radeon Pro 5600M：Navi核心首次集成HBM2显存

AMD刚刚发布了一款新的Radeon Pro 5600M移动版显卡，和之前的Radeon Pro 5300M/5500M一样，也是专门为苹果的16英寸MacBook Pro笔记本定制，但是性能更强。Radeon Pro 5600M采用了7nm工艺、R

HBM显存标准升级：一块显卡可配96GB 带宽1.23TB/s

目前在显存行业有两个方向，一是传统的GDDR继续演化，NVIDIA RTX 20系列已经用上最新的GDDR6，二就是高带宽的HBM，已经进化到第二代，NVIDIA、AMD的专业计算卡以及AMD的部分高端显卡都配备了它。

AMD确认Vega显卡本季度发布 HBM2显存正式登台！

在和Twitter粉丝互动的过程中，AMD官宣了Vega显卡的发布时间，称将会在本季度正式发布，也就是说最晚6月份发布。

曝20周年版iPhone首发HBM内存：性能最激进的苹果手机

苹果正为iPhone 20周年研发HBM高带宽内存技术，该技术采用3D堆叠工艺，能提升数据处理能力并降低功耗，计划2027年应用于iPhone产品线。目前苹果正与三星、SK海力士等供应商合作开发，但面临成本高、散热难等挑战。若成功应用，将显著增强设备端AI性能，并可能搭配无边框显示屏推出，成为iPhone创新的重要里程碑。

三星HBM内存难了：谷歌也计划换成美光产品

快科技5月2日消息，据报道，三星在高频宽内存（HBM）领域的处境愈发艰难。自2023年10月开始，三星就一直在努力使其HBM3E产品通过英伟达认证，但一年多过去，无论是8层还是12层堆叠的产品，均未能达标，甚至影响了财务表现。为此，三星传出修改了HBM3E的设计，并计划在5月底至6月初再次进行英伟达的认证，同时三星还打算逐步淘汰HBM2E，将资源转向HBM3E和HBM4的发展。不只是NVIDIA，市场消息显示，谷歌等客户正在将HBM3E订单从三星转移出去，转而采用美光的产品，原因是三星的制程技术无法达到产业标准。如今，三星不仅在时间上已经落后，?

DDR4之后 三星将逐步停产HBM2E：转向HBM3E和HBM4

4月24日消息，三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存，并停止HBM2E产品生产，转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增，HBM市场前景广阔，但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争，三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块，SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争，长鑫存储已量产16纳米DDR5，并计划2025年提升产能，2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场，未来或将涉足HBM领域。

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%

根据CounterpointResearch的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。CounterpointResearch表示，2025年第二季DRAM市场在各产品类别与厂商市占方面，将与前一季变化不大，长期来看，HBM市场的增长仍面临来自贸易冲击的结构性挑战，这可能会引发经济衰退甚至萧条。