IEDM 2021:三星携IBM介绍VTFET半导体芯片研究新突破
在今年于加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议(IEDM 2021)上,三星与 IBM 在“3D at the Device Level”讨论环节宣布,其已携手在下一代半导体芯片的设计技术上取得了重大突破。据悉,这项突破性的 VTFET 新技术,允许晶体管在垂直方向上堆叠。不仅有助于缩小半导体芯片的尺寸,还能够使之变得更加强大和高效。谈话期间,IBM 与三星解释了如何通过将电路从水平改到垂直方向,同时让占地面积缩小的半导体芯片更加强大和高效?