三星谋划3D堆叠内存:10nm以下一路奔向2032年
3D晶体管正在各种类型芯片中铺开,3DDRAM内存也讨论了很多年,但一直没有落地。如今三星公开的路线图上,终于出现了3DDRAM。大约2030-2031年的时候,三星将升级到堆叠DRAM,将多组VCT堆在一起,从获得更大容量、更高性能,看起来还会引入电容器作为辅助。